晶閘管熒光光纖溫度實(shí)時(shí)測(cè)量系統(tǒng)
華光天銳提供光纖測(cè)溫系統(tǒng),可以在多種電子元器件中使用,,比如IGBT光纖測(cè)溫,、可控硅晶閘管測(cè)溫,、發(fā)電機(jī)組光纖測(cè)溫,,絕緣,,不受電磁干擾,。
晶閘管測(cè)溫裝置的必要性
電力電子變換裝置在工作過程中,晶閘管通常工作于高壓,、大電流的狀態(tài)中,,工作過程中功率損耗會(huì)引起晶閘管的發(fā)熱、升溫,,而晶閘管溫度過高將縮短器件壽命,,甚至燒毀器件。為保證元件在額定負(fù)荷范圍內(nèi)和超負(fù)荷等異常情況下都能工作在允許的最高結(jié)溫以下,,需對(duì)晶閘管的溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè),,提升設(shè)備運(yùn)行的可靠性。
高壓晶閘管起動(dòng)器在起動(dòng)高壓交流電動(dòng)機(jī)時(shí),,晶閘管要承受高電壓和大電流,,晶閘管由于消耗電能,電能轉(zhuǎn)化為熱能,,晶閘管本身的溫度快速升高,,并通過其自身的散熱器將其熱量散出。但高壓晶閘管起動(dòng)器因負(fù)載原因起動(dòng)時(shí)間過長(zhǎng)或多次頻繁起動(dòng)時(shí),,散熱器上由于熱量的積蓄,,會(huì)達(dá)到過高的溫度,此時(shí),,晶閘管溫度也會(huì)過高,,若不及時(shí)采取措施處理或控制過高的溫度,將會(huì)使晶閘管本身因過溫而損壞,。
晶閘管自 1956 年誕生以來,,一直朝著高電壓、大電流的方向發(fā)展,,分為電觸發(fā)晶閘管 (Electrically Triggered Thyristor,,ETT)、光觸發(fā)晶閘管 (Light-Triggered Thyristor LTT),,被廣泛的用于 HVDC,、SVC,、TCSC,、TSC 等領(lǐng)域。晶閘管換流閥是系統(tǒng)運(yùn)行的核心部件,,在開通過程中,,若經(jīng)受故障 ( 浪涌 ) 電流,電流上升率很大,,而單晶硅擴(kuò)展速度的增大并不明顯,,且不均勻,,因此,會(huì)在導(dǎo)通局部形成很高的電流密度和造成局部結(jié)溫急劇上升,,最終導(dǎo)致晶閘管燒毀 ,;在導(dǎo)通過程中,可存在高電流密度溫升效應(yīng)和缺陷點(diǎn)本征激發(fā)效應(yīng),,形成單晶硅自身的循環(huán)加熱,,最終晶閘管燒毀 ;在關(guān)斷過程中,,由于存在恢復(fù)電流和較高的電流關(guān)斷 di/dt,,結(jié)溫都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于正常值,易燒毀晶閘管 ,;在斷態(tài)過程中,,晶閘管存在泄漏電流和 RC 保護(hù)回路的過電壓,亦同樣產(chǎn)生局部熱電的循環(huán)自加熱,,將晶閘管燒毀,。因此,晶閘管結(jié)溫隨外界工況變化,,對(duì)換流閥串聯(lián)均壓機(jī)制,、內(nèi)外部過電壓、過電流,、晶閘管反向恢復(fù)過程,、觸發(fā)控制系統(tǒng)、保護(hù)系統(tǒng)等各方面特性都起著決定性作用,。因此,,迫切需要能夠測(cè)量晶閘管內(nèi)實(shí)時(shí)溫度的測(cè)量系統(tǒng),熒光光纖測(cè)量系統(tǒng)采用特制的光纖溫度傳感器,,能夠?qū)崟r(shí)多點(diǎn)測(cè)量溫度分布,,對(duì)晶閘管本體影響極小,不受外界的強(qiáng)電磁干擾,,具有體積超小,、可靠性高、穩(wěn)定性強(qiáng),、線性度好,、誤差小等特點(diǎn),能夠滿足各類晶閘管測(cè)溫的需求,。
福州華光天銳自主研發(fā)的晶閘管熒光光纖溫度實(shí)時(shí)測(cè)量系統(tǒng),,能夠?qū)崟r(shí)多點(diǎn)測(cè)量溫度分布,對(duì)晶閘管本體影響極小,不受外界的強(qiáng)電磁干擾,,光纖傳感器體積小,,整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)具有穩(wěn)定性強(qiáng)、可靠性高,、穩(wěn)定性強(qiáng),、線性度好、誤差小等特點(diǎn),,能夠滿足各類晶閘管測(cè)溫的需求,。